onsemi N-Channel MOSFET, 320 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 2V7002KT1G
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
320 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
2.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.3V
Maximum Power Dissipation
420 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
1.4mm
Length
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.7 nC @ 4.5 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.01mm
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET with Schottky Diode, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 150,00
€ 0,05 Each (On a Reel of 3000) (bez PDV-a)
€ 187,50
€ 0,062 Each (On a Reel of 3000) (s PDV-om)
3000
€ 150,00
€ 0,05 Each (On a Reel of 3000) (bez PDV-a)
€ 187,50
€ 0,062 Each (On a Reel of 3000) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
3000
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
| količina | jedinična cijena | Po kolut |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | € 0,05 | € 150,00 |
| 9000+ | € 0,04 | € 120,00 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
320 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
2.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.3V
Maximum Power Dissipation
420 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
1.4mm
Length
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.7 nC @ 4.5 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.01mm
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET with Schottky Diode, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda