P-Channel MOSFET, 40 A, 30 V, 3-Pin ATPAK onsemi ATP102-TL-H

RS kataloški broj:: 163-2040robna marka: onsemiProizvođački broj:: ATP102-TL-H
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

onsemi

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

40 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

ATPAK

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

31 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.6V

Maximum Power Dissipation

40 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

7.3mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

6.5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

34 nC @ 10 V

Height

1.5mm

Zemlja podrijetla

China

Detalji o proizvodu

P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

P.O.A.

P-Channel MOSFET, 40 A, 30 V, 3-Pin ATPAK onsemi ATP102-TL-H

3000

Dostupno u više komada 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

P.O.A.

P-Channel MOSFET, 40 A, 30 V, 3-Pin ATPAK onsemi ATP102-TL-H
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

3000

Dostupno u više komada 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

onsemi

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

40 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

ATPAK

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

31 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.6V

Maximum Power Dissipation

40 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

7.3mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

6.5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

34 nC @ 10 V

Height

1.5mm

Zemlja podrijetla

China

Detalji o proizvodu

P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više