onsemi P-Channel MOSFET, 130 mA, 50 V, 3-Pin SOT-23 BSS84LT1G
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
130 mA
Maximum Drain Source Voltage
50 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
10 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
225 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
2.9mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
1.3mm
Height
0.94mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 11,00
€ 0,11 komadno (u pakiranju od 100) (bez PDV-a)
€ 13,75
€ 0,138 komadno (u pakiranju od 100) (s PDV-om)
Standard
100
€ 11,00
€ 0,11 komadno (u pakiranju od 100) (bez PDV-a)
€ 13,75
€ 0,138 komadno (u pakiranju od 100) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Standard
100
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
| količina | jedinična cijena | Po pakiranje |
|---|---|---|
| 100 - 400 | € 0,11 | € 11,00 |
| 500 - 900 | € 0,10 | € 10,00 |
| 1000+ | € 0,09 | € 9,00 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
130 mA
Maximum Drain Source Voltage
50 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
10 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
225 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
2.9mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
1.3mm
Height
0.94mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda