P-Channel MOSFET, 3 A, 12 V, 3-Pin CPH3 onsemi CPH3348-TL-W
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3 A
Maximum Drain Source Voltage
12 V
Package Type
CPH3
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
215 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
5.6 nC @ 4.5 V
Width
1.6mm
Transistor Material
Si
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
0.9mm
Detalji o proizvodu
P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Cijena na upit
komadno (u pakiranju od 25) (bez PDV-a)
Standard
25
Cijena na upit
komadno (u pakiranju od 25) (bez PDV-a)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Standard
25
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3 A
Maximum Drain Source Voltage
12 V
Package Type
CPH3
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
215 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
5.6 nC @ 4.5 V
Width
1.6mm
Transistor Material
Si
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
0.9mm
Detalji o proizvodu
P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda