onsemi N-Channel MOSFET, 75 A, 650 V, 4-Pin TO-247-4 FCH023N65S3L4
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
75 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Package Type
TO-247-4
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
23 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
595 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Number of Elements per Chip
1
Width
5.2mm
Length
15.8mm
Typical Gate Charge @ Vgs
222 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
22.74mm
Zemlja podrijetla
China
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 10.921,50
€ 24,27 komadno (u cijevi od 450) (bez PDV-a)
€ 13.651,88
€ 30,338 komadno (u cijevi od 450) (s PDV-om)
450
€ 10.921,50
€ 24,27 komadno (u cijevi od 450) (bez PDV-a)
€ 13.651,88
€ 30,338 komadno (u cijevi od 450) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
450
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
75 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Package Type
TO-247-4
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
23 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
595 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Number of Elements per Chip
1
Width
5.2mm
Length
15.8mm
Typical Gate Charge @ Vgs
222 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
22.74mm
Zemlja podrijetla
China
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda