onsemi HGTG20N60A4 IGBT, 70 A 600 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

RS kataloški broj:: 671-5424Probna marka: onsemiProizvođački broj:: HGTG20N60A4
brand-logo
Prikaži sve u IGBTs

Tehnička dokumentacija

Detalji o proizvodu

Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Cijena na upit

onsemi HGTG20N60A4 IGBT, 70 A 600 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

1

Dostupno u više komada 1
1Cijena na upit
2Cijena na upit
3Cijena na upit
4Cijena na upit
5Cijena na upit
6Cijena na upit
7Cijena na upit
8Cijena na upit
9Cijena na upit
10Cijena na upit
11Cijena na upit
12Cijena na upit
13Cijena na upit
14Cijena na upit
15Cijena na upit

Cijena na upit

onsemi HGTG20N60A4 IGBT, 70 A 600 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

1

Dostupno u više komada 1
1Cijena na upit
2Cijena na upit
3Cijena na upit
4Cijena na upit
5Cijena na upit
6Cijena na upit
7Cijena na upit
8Cijena na upit
9Cijena na upit
10Cijena na upit
11Cijena na upit
12Cijena na upit
13Cijena na upit
14Cijena na upit
15Cijena na upit

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Detalji o proizvodu

Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više