onsemi ISL9V2040D3ST IGBT, 10 A 450 V, 3-Pin DPAK (TO-252), Surface Mount

RS kataloški broj:: 862-9347Probna marka: onsemiProizvođački broj:: ISL9V2040D3ST
brand-logo
Prikaži sve u IGBTs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

onsemi

Maximum Continuous Collector Current

10 A

Maximum Collector Emitter Voltage

450 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±14V

Maximum Power Dissipation

130 W

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Dimensions

6.73 x 6.22 x 2.39mm

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Detalji o proizvodu

Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

€ 15,75

€ 3,15 Each (Supplied on a Reel) (bez PDV-a)

€ 19,69

€ 3,938 Each (Supplied on a Reel) (s PDV-om)

onsemi ISL9V2040D3ST IGBT, 10 A 450 V, 3-Pin DPAK (TO-252), Surface Mount
Odaberite vrstu pakiranja

Proizvodno pakiranje (kolut)

Odaberite vrstu pakiranja

Standard - each

Dostupno u više komada 5.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 5.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

5

Dostupno u više komada 5
5€ 15,75
10€ 31,50
15€ 47,25
20€ 63,00
25€ 78,75
30€ 94,50
35€ 110,25
40€ 126,00
45€ 141,75
50€ 157,50
55€ 173,25
60€ 189,00
65€ 204,75
70€ 220,50
75€ 236,25

€ 15,75

€ 3,15 Each (Supplied on a Reel) (bez PDV-a)

€ 19,69

€ 3,938 Each (Supplied on a Reel) (s PDV-om)

onsemi ISL9V2040D3ST IGBT, 10 A 450 V, 3-Pin DPAK (TO-252), Surface Mount

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Odaberite vrstu pakiranja

Proizvodno pakiranje (kolut)

Odaberite vrstu pakiranja

Standard - each

Dostupno u više komada 5.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 5.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

5

Dostupno u više komada 5
5€ 15,75
10€ 31,50
15€ 47,25
20€ 63,00
25€ 78,75
30€ 94,50
35€ 110,25
40€ 126,00
45€ 141,75
50€ 157,50
55€ 173,25
60€ 189,00
65€ 204,75
70€ 220,50
75€ 236,25

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

onsemi

Maximum Continuous Collector Current

10 A

Maximum Collector Emitter Voltage

450 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±14V

Maximum Power Dissipation

130 W

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Dimensions

6.73 x 6.22 x 2.39mm

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Detalji o proizvodu

Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više