onsemi N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V, 3-Pin DPAK NTD20N06LT4G

RS kataloški broj:: 773-7879Probna marka: onsemiProizvođački broj:: NTD20N06LT4G
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

20 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

48 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

60 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-15 V, +15 V

Number of Elements per Chip

1

Length

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

16.6 nC @ 5 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Width

6.22mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

2.38mm

Detalji o proizvodu

N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Cijena na upit

Each (Supplied on a Reel) (bez PDV-a)

onsemi N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V, 3-Pin DPAK NTD20N06LT4G
Odaberite vrstu pakiranja

Cijena na upit

Each (Supplied on a Reel) (bez PDV-a)

onsemi N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V, 3-Pin DPAK NTD20N06LT4G

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Odaberite vrstu pakiranja

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

20 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

48 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

60 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-15 V, +15 V

Number of Elements per Chip

1

Length

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

16.6 nC @ 5 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Width

6.22mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

2.38mm

Detalji o proizvodu

N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više