P-Channel MOSFET, 25 A, 30 V, 3-Pin DPAK ON Semiconductor NTD25P03LT4G
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
90 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
75 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-15 V, +15 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 5 V
Width
6.22mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
2.38mm
Detalji o proizvodu
P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Provjerite ponovno kasnije.
€ 1,46
Each (Supplied on a Reel) (bez PDV-a)
€ 1,825
Each (Supplied on a Reel) (s PDV-om)
5
€ 1,46
Each (Supplied on a Reel) (bez PDV-a)
€ 1,825
Each (Supplied on a Reel) (s PDV-om)
5
Kupujte na veliko
| količina | jedinična cijena | Po kolut |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,46 | € 7,30 |
| 25 - 120 | € 1,08 | € 5,40 |
| 125 - 620 | € 0,90 | € 4,50 |
| 625+ | € 0,82 | € 4,10 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
90 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
75 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-15 V, +15 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 5 V
Width
6.22mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
2.38mm
Detalji o proizvodu
P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda