onsemi P-Channel MOSFET, 8.4 A, 20 V, 3-Pin SOT-223 NTF6P02T3G
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
8.4 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-223
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
70 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
8.3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Width
3.7mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1.65mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
P-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 160,00
€ 0,80 Each (Supplied on a Reel) (bez PDV-a)
€ 200,00
€ 1,00 Each (Supplied on a Reel) (s PDV-om)
Proizvodno pakiranje (kolut)
200
€ 160,00
€ 0,80 Each (Supplied on a Reel) (bez PDV-a)
€ 200,00
€ 1,00 Each (Supplied on a Reel) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proizvodno pakiranje (kolut)
200
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
| količina | jedinična cijena | Po kolut |
|---|---|---|
| 200 - 480 | € 0,80 | € 16,00 |
| 500+ | € 0,72 | € 14,40 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
8.4 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-223
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
70 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
8.3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Width
3.7mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1.65mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
P-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda