onsemi Dual P-Channel MOSFET, 4.1 A, 20 V, 8-Pin ChipFET NTHD4102PT1G
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
4.1 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
ChipFET
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
170 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
2.1 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip
2
Length
3.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
7.6 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
1.7mm
Transistor Material
Si
Height
1.1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
Dual P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 14,50
€ 0,58 Each (Supplied as a Tape) (bez PDV-a)
€ 18,12
€ 0,725 Each (Supplied as a Tape) (s PDV-om)
Standard
25
€ 14,50
€ 0,58 Each (Supplied as a Tape) (bez PDV-a)
€ 18,12
€ 0,725 Each (Supplied as a Tape) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Standard
25
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
4.1 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
ChipFET
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
170 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
2.1 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip
2
Length
3.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
7.6 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
1.7mm
Transistor Material
Si
Height
1.1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
Dual P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda