onsemi Dual N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V, 6-Pin SOT-363 NTJD5121NT1G
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SOT-363
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
2.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
266 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
1.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Length
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.9 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
Dual N-Channel MOSFET, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 7,00
€ 0,14 komadno (u pakiranju od 50) (bez PDV-a)
€ 8,75
€ 0,175 komadno (u pakiranju od 50) (s PDV-om)
Standard
50
€ 7,00
€ 0,14 komadno (u pakiranju od 50) (bez PDV-a)
€ 8,75
€ 0,175 komadno (u pakiranju od 50) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Standard
50
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
| količina | jedinična cijena | Po pakiranje |
|---|---|---|
| 50 - 450 | € 0,14 | € 7,00 |
| 500 - 950 | € 0,13 | € 6,50 |
| 1000+ | € 0,11 | € 5,50 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SOT-363
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
2.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
266 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
1.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Length
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.9 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
Dual N-Channel MOSFET, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda