onsemi P-Channel MOSFET, 870 mA, 20 V, 3-Pin SOT-723 NTK3139PT1G
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
870 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-723
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
2.2 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
550 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-6 V, +6 V
Width
0.85mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
1.25mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
0.55mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
P-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 135,00
€ 0,27 Each (Supplied on a Reel) (bez PDV-a)
€ 168,75
€ 0,338 Each (Supplied on a Reel) (s PDV-om)
Proizvodno pakiranje (kolut)
500
€ 135,00
€ 0,27 Each (Supplied on a Reel) (bez PDV-a)
€ 168,75
€ 0,338 Each (Supplied on a Reel) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proizvodno pakiranje (kolut)
500
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
| količina | jedinična cijena | Po kolut |
|---|---|---|
| 500 - 950 | € 0,27 | € 13,50 |
| 1000+ | € 0,24 | € 12,00 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
870 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-723
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
2.2 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
550 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-6 V, +6 V
Width
0.85mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
1.25mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
0.55mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
P-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda