onsemi Dual N-Channel MOSFET, 4 A, 30 V, 8-Pin SOIC NTMD4N03R2G

RS kataloški broj:: 780-0674robna marka: onsemiProizvođački broj:: NTMD4N03R2G
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

4 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

SOIC

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

80 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

2 W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

4mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

2

Length

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

8 nC @ 10 V dc

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

1.5mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Detalji o proizvodu

Dual N-Channel MOSFET, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

€ 8,60

€ 0,86 komadno (u pakiranju od 10) (bez PDV-a)

€ 10,75

€ 1,075 komadno (u pakiranju od 10) (s PDV-om)

onsemi Dual N-Channel MOSFET, 4 A, 30 V, 8-Pin SOIC NTMD4N03R2G
Odaberite vrstu pakiranja

€ 8,60

€ 0,86 komadno (u pakiranju od 10) (bez PDV-a)

€ 10,75

€ 1,075 komadno (u pakiranju od 10) (s PDV-om)

onsemi Dual N-Channel MOSFET, 4 A, 30 V, 8-Pin SOIC NTMD4N03R2G

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Odaberite vrstu pakiranja

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

količinajedinična cijenaPo pakiranje
10 - 90€ 0,86€ 8,60
100 - 240€ 0,75€ 7,50
250 - 490€ 0,68€ 6,80
500 - 990€ 0,62€ 6,20
1000+€ 0,59€ 5,90

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

4 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

SOIC

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

80 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

2 W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

4mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

2

Length

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

8 nC @ 10 V dc

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

1.5mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Detalji o proizvodu

Dual N-Channel MOSFET, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više