N-Channel MOSFET, 59 A, 30 V, 8-Pin SO-8FL ON Semiconductor NTMFS4841NHT1G
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
59 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SO-8FL
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
11.6 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
41.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
11.3 nC @ 4.5 V, 24.4 nC @ 11.5 V
Width
6.1mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
5.1mm
Height
1.1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
N-Channel Power MOSFET, 30V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Cijena na upit
Each (Supplied on a Reel) (bez PDV-a)
Proizvodno pakiranje (kolut)
10
Cijena na upit
Each (Supplied on a Reel) (bez PDV-a)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proizvodno pakiranje (kolut)
10
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
59 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SO-8FL
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
11.6 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
41.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
11.3 nC @ 4.5 V, 24.4 nC @ 11.5 V
Width
6.1mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
5.1mm
Height
1.1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
N-Channel Power MOSFET, 30V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda