onsemi P-Channel MOSFET, 1.3 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 NTR1P02LT3G
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
1.3 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
350 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.25V
Maximum Power Dissipation
400 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
3.1 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
3.04mm
Width
1.4mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.01mm
Detalji o proizvodu
P-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 48,00
€ 0,12 Each (Supplied on a Reel) (bez PDV-a)
€ 60,00
€ 0,15 Each (Supplied on a Reel) (s PDV-om)
Proizvodno pakiranje (kolut)
400
€ 48,00
€ 0,12 Each (Supplied on a Reel) (bez PDV-a)
€ 60,00
€ 0,15 Each (Supplied on a Reel) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proizvodno pakiranje (kolut)
400
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
| količina | jedinična cijena | Po kolut |
|---|---|---|
| 400 - 1800 | € 0,12 | € 24,00 |
| 2000+ | € 0,11 | € 22,00 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
1.3 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
350 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.25V
Maximum Power Dissipation
400 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
3.1 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
3.04mm
Width
1.4mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.01mm
Detalji o proizvodu
P-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda