onsemi N-Channel MOSFET, 560 mA, 30 V, 3-Pin SOT-23 NTR4003NT1G
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
560 mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
2 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.4V
Maximum Power Dissipation
690 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
3.04mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
1.15 nC @ 5 V
Height
1.01mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
N-Channel Power MOSFET, 30V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 50,00
€ 0,10 Each (Supplied on a Reel) (bez PDV-a)
€ 62,50
€ 0,125 Each (Supplied on a Reel) (s PDV-om)
Proizvodno pakiranje (kolut)
500
€ 50,00
€ 0,10 Each (Supplied on a Reel) (bez PDV-a)
€ 62,50
€ 0,125 Each (Supplied on a Reel) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proizvodno pakiranje (kolut)
500
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
| količina | jedinična cijena | Po kolut |
|---|---|---|
| 500 - 900 | € 0,10 | € 10,00 |
| 1000+ | € 0,09 | € 9,00 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
560 mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
2 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.4V
Maximum Power Dissipation
690 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
3.04mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
1.15 nC @ 5 V
Height
1.01mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
N-Channel Power MOSFET, 30V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda