onsemi P-Channel MOSFET, 1.37 A, 20 V, 3-Pin SOT-323 NTS4101PT1G
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
1.37 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-323
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
160 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
329 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Width
1.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
6.4 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
0.9mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
P-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 75,00
€ 0,15 Each (Supplied on a Reel) (bez PDV-a)
€ 93,75
€ 0,188 Each (Supplied on a Reel) (s PDV-om)
Proizvodno pakiranje (kolut)
500
€ 75,00
€ 0,15 Each (Supplied on a Reel) (bez PDV-a)
€ 93,75
€ 0,188 Each (Supplied on a Reel) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proizvodno pakiranje (kolut)
500
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
| količina | jedinična cijena | Po kolut |
|---|---|---|
| 500 - 950 | € 0,15 | € 7,50 |
| 1000+ | € 0,14 | € 7,00 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
1.37 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-323
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
160 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
329 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Width
1.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
6.4 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
0.9mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
P-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda