onsemi Dual N-Channel MOSFET, 280 mA, 20 V, 6-Pin SOT-963 NTUD3170NZT5G
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
280 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-963
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
4.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
200 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Length
1.05mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
0.85mm
Height
0.4mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
Dual N-Channel MOSFET, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 2,00
€ 0,08 Each (Supplied on a Reel) (bez PDV-a)
€ 2,50
€ 0,10 Each (Supplied on a Reel) (s PDV-om)
Proizvodno pakiranje (kolut)
25
€ 2,00
€ 0,08 Each (Supplied on a Reel) (bez PDV-a)
€ 2,50
€ 0,10 Each (Supplied on a Reel) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proizvodno pakiranje (kolut)
25
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
280 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-963
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
4.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
200 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Length
1.05mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
0.85mm
Height
0.4mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
Dual N-Channel MOSFET, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda