onsemi N-Channel MOSFET, 83 A, 40 V, 3-Pin DPAK NVD5C454NT4G
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
83 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
4.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
56 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
6.22mm
Length
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
32 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
2.25mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Zemlja podrijetla
Vietnam
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 19,40
€ 1,94 komadno (u pakiranju od 10) (bez PDV-a)
€ 24,25
€ 2,425 komadno (u pakiranju od 10) (s PDV-om)
Standard
10
€ 19,40
€ 1,94 komadno (u pakiranju od 10) (bez PDV-a)
€ 24,25
€ 2,425 komadno (u pakiranju od 10) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Standard
10
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
| količina | jedinična cijena | Po pakiranje |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 1,94 | € 19,40 |
| 100 - 240 | € 1,69 | € 16,90 |
| 250+ | € 1,53 | € 15,30 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
83 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
4.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
56 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
6.22mm
Length
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
32 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
2.25mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Zemlja podrijetla
Vietnam
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda