Dual N-Channel MOSFET, 27 A, 80 A, 30 V, 8-Pin HSOP8 ROHM HP8S36TB
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
ROHMChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
27 A, 80 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Series
HP8S36
Package Type
HSOP8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
13.3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.3V
Maximum Power Dissipation
22 W, 29 W
Maximum Gate Source Voltage
±128 V, ±20 V
Width
5.8mm
Number of Elements per Chip
2
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
4.8 nC @ 4.5 V (N Channel), 47 nC @ 4.5 V (N Channel)
Height
1.1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Provjerite ponovno kasnije.
€ 0,79
komadno (u pakiranju od 10) (bez PDV-a)
€ 0,988
komadno (u pakiranju od 10) (s PDV-om)
10
€ 0,79
komadno (u pakiranju od 10) (bez PDV-a)
€ 0,988
komadno (u pakiranju od 10) (s PDV-om)
10
Kupujte na veliko
| količina | jedinična cijena | Po pakiranje |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 0,79 | € 7,90 |
| 50 - 90 | € 0,72 | € 7,20 |
| 100 - 240 | € 0,69 | € 6,90 |
| 250 - 990 | € 0,66 | € 6,60 |
| 1000+ | € 0,63 | € 6,30 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
ROHMChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
27 A, 80 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Series
HP8S36
Package Type
HSOP8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
13.3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.3V
Maximum Power Dissipation
22 W, 29 W
Maximum Gate Source Voltage
±128 V, ±20 V
Width
5.8mm
Number of Elements per Chip
2
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
4.8 nC @ 4.5 V (N Channel), 47 nC @ 4.5 V (N Channel)
Height
1.1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda