ROHM RTR030P02 P-Channel MOSFET, 3 A, 20 V, 3-Pin TSMT RQ5C030TPTL
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
ROHMChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Series
RTR030P02
Package Type
TSMT
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
125 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.7V
Maximum Power Dissipation
1 W
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Number of Elements per Chip
1
Width
1.6mm
Length
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
9.3 nC @ 4.5 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
0.85mm
Detalji o proizvodu
P-Channel MOSFET Transistors, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Cijena na upit
komadno (u pakiranju od 20) (bez PDV-a)
20
Cijena na upit
komadno (u pakiranju od 20) (bez PDV-a)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
20
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
ROHMChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Series
RTR030P02
Package Type
TSMT
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
125 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.7V
Maximum Power Dissipation
1 W
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Number of Elements per Chip
1
Width
1.6mm
Length
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
9.3 nC @ 4.5 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
0.85mm
Detalji o proizvodu
P-Channel MOSFET Transistors, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda