Semikron SK45GD063, SEMITOP3 , N-Channel Hex IGBT Transistor Module, 45 A max, 600 V, Through Hole

RS kataloški broj:: 125-1109robna marka: SemikronProizvođački broj:: SK45GD063
brand-logo
Prikaži sve u IGBTs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

Semikron

Maximum Continuous Collector Current

45 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

20V

Number of Transistors

6

Package Type

SEMITOP3

Configuration

Hex

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

36

Transistor Configuration

Six Pack

Dimensions

55 x 31 x 12mm

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Zemlja podrijetla

Italy

Detalji o proizvodu

IGBT Modules, Semikron

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

P.O.A.

Semikron SK45GD063, SEMITOP3 , N-Channel Hex IGBT Transistor Module, 45 A max, 600 V, Through Hole

1

Dostupno u više komada 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

Semikron SK45GD063, SEMITOP3 , N-Channel Hex IGBT Transistor Module, 45 A max, 600 V, Through Hole
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

1

Dostupno u više komada 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

Semikron

Maximum Continuous Collector Current

45 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

20V

Number of Transistors

6

Package Type

SEMITOP3

Configuration

Hex

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

36

Transistor Configuration

Six Pack

Dimensions

55 x 31 x 12mm

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Zemlja podrijetla

Italy

Detalji o proizvodu

IGBT Modules, Semikron

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više