STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 55 A, 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT018H65G3AG

RS kataloški broj:: 215-225robna marka: STMicroelectronicsProizvođački broj:: SCT018H65G3AG
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

55A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

H2PAK-7

Series

SCT

Mount Type

Through Hole

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

27mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

79.4nC

Maximum Power Dissipation Pd

385W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

75°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

Zemlja podrijetla

China

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

€ 32.460,00

€ 32,46 Each (On a Reel of 1000) (bez PDV-a)

€ 40.575,00

€ 40,575 Each (On a Reel of 1000) (s PDV-om)

STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 55 A, 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT018H65G3AG

1000

Dostupno u više komada 1000
1000€ 32.460,00
2000€ 64.920,00
3000€ 97.380,00
4000€ 129.840,00
5000€ 162.300,00
6000€ 194.760,00
7000€ 227.220,00
8000€ 259.680,00
9000€ 292.140,00
10000€ 324.600,00
11000€ 357.060,00
12000€ 389.520,00
13000€ 421.980,00
14000€ 454.440,00
15000€ 486.900,00

€ 32.460,00

€ 32,46 Each (On a Reel of 1000) (bez PDV-a)

€ 40.575,00

€ 40,575 Each (On a Reel of 1000) (s PDV-om)

STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 55 A, 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT018H65G3AG

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

1000

Dostupno u više komada 1000
1000€ 32.460,00
2000€ 64.920,00
3000€ 97.380,00
4000€ 129.840,00
5000€ 162.300,00
6000€ 194.760,00
7000€ 227.220,00
8000€ 259.680,00
9000€ 292.140,00
10000€ 324.600,00
11000€ 357.060,00
12000€ 389.520,00
13000€ 421.980,00
14000€ 454.440,00
15000€ 486.900,00

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

55A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

H2PAK-7

Series

SCT

Mount Type

Through Hole

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

27mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

79.4nC

Maximum Power Dissipation Pd

385W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

75°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

Zemlja podrijetla

China

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više