STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 45 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin Hip-247 SCT30N120

RS kataloški broj:: 907-4741robna marka: STMicroelectronicsProizvođački broj:: SCT30N120
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

45A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

Hip-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

100mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

270W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

105nC

Forward Voltage Vf

3.5V

Maximum Operating Temperature

200°C

Width

5.15 mm

Height

20.15mm

Length

15.75mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Detalji o proizvodu

N-Channel Silicon Carbide (SiC) MOSFET, STMicroelectronics

Silicon carbide (SiC) MOSFETs feature very low static drain-source on-resistance for the 1200V rating combined with excellent switching performance, translating into more efficient and compact systems.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Prikaži sve u MOSFETs

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

€ 21,16

€ 21,16 komadno (bez PDV-a)

€ 26,45

€ 26,45 komadno (s PDV-om)

STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 45 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin Hip-247 SCT30N120
Odaberite vrstu pakiranja

Standard

Odaberite vrstu pakiranja

Standard - each

Dostupno u više komada 1.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 1.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

1

Dostupno u više komada 1
1€ 21,16
2€ 42,32
3€ 63,48
4€ 84,64
5€ 102,00
6€ 122,40
7€ 142,80
8€ 163,20
9€ 183,60
10€ 191,40
11€ 210,54
12€ 229,68
13€ 248,82
14€ 267,96
15€ 287,10

€ 21,16

€ 21,16 komadno (bez PDV-a)

€ 26,45

€ 26,45 komadno (s PDV-om)

STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 45 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin Hip-247 SCT30N120

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Odaberite vrstu pakiranja

Standard

Odaberite vrstu pakiranja

Standard - each

Dostupno u više komada 1.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 1.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

1

Dostupno u više komada 1
1€ 21,16
2€ 42,32
3€ 63,48
4€ 84,64
5€ 102,00
6€ 122,40
7€ 142,80
8€ 163,20
9€ 183,60
10€ 191,40
11€ 210,54
12€ 229,68
13€ 248,82
14€ 267,96
15€ 287,10

količinajedinična cijena
1 - 4€ 21,16
5 - 9€ 20,40
10+€ 19,14

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

45A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

Hip-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

100mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

270W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

105nC

Forward Voltage Vf

3.5V

Maximum Operating Temperature

200°C

Width

5.15 mm

Height

20.15mm

Length

15.75mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Detalji o proizvodu

N-Channel Silicon Carbide (SiC) MOSFET, STMicroelectronics

Silicon carbide (SiC) MOSFETs feature very low static drain-source on-resistance for the 1200V rating combined with excellent switching performance, translating into more efficient and compact systems.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više