STMicroelectronics G-HEMT P-Channel Power MOSFET, 6 A, 700 V Enhancement, 2-Pin TO-252 SGT350R70GTK

RS kataloški broj:: 719-638robna marka: STMicroelectronicsProizvođački broj:: SGT350R70GTK
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

STMicroelectronics

Channel Type

P-Channel

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

700V

Series

G-HEMT

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

2

Maximum Drain Source Resistance Rds

350mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

1.5nC

Maximum Power Dissipation Pd

47W

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.2mm

Height

2.4mm

Zemlja podrijetla

China

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Prikaži sve u MOSFETs

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

€ 1,09

€ 1,09 komadno (bez PDV-a)

€ 1,36

€ 1,36 komadno (s PDV-om)

STMicroelectronics G-HEMT P-Channel Power MOSFET, 6 A, 700 V Enhancement, 2-Pin TO-252 SGT350R70GTK

1

Dostupno u više komada 1
1€ 1,09
2€ 2,18
3€ 3,27
4€ 4,36
5€ 5,45
6€ 6,54
7€ 7,63
8€ 8,72
9€ 9,81
10€ 10,90
11€ 11,99
12€ 13,08
13€ 14,17
14€ 15,26
15€ 16,35

€ 1,09

€ 1,09 komadno (bez PDV-a)

€ 1,36

€ 1,36 komadno (s PDV-om)

STMicroelectronics G-HEMT P-Channel Power MOSFET, 6 A, 700 V Enhancement, 2-Pin TO-252 SGT350R70GTK

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

1

Dostupno u više komada 1
1€ 1,09
2€ 2,18
3€ 3,27
4€ 4,36
5€ 5,45
6€ 6,54
7€ 7,63
8€ 8,72
9€ 9,81
10€ 10,90
11€ 11,99
12€ 13,08
13€ 14,17
14€ 15,26
15€ 16,35

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

STMicroelectronics

Channel Type

P-Channel

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

700V

Series

G-HEMT

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

2

Maximum Drain Source Resistance Rds

350mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

1.5nC

Maximum Power Dissipation Pd

47W

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.2mm

Height

2.4mm

Zemlja podrijetla

China

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više