STMicroelectronics STripFET N-Channel MOSFET, 120 A, 75 V, 3-Pin D2PAK STB160N75F3
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
120 A
Maximum Drain Source Voltage
75 V
Package Type
D2PAK (TO-263)
Series
STripFET
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
3.7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
330 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Width
10.4mm
Length
10.75mm
Typical Gate Charge @ Vgs
85 nC @ 10 V
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
4.6mm
Detalji o proizvodu
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
€ 3.600,00
€ 3,60 Each (On a Reel of 1000) (bez PDV-a)
€ 4.500,00
€ 4,50 Each (On a Reel of 1000) (s PDV-om)
1000
€ 3.600,00
€ 3,60 Each (On a Reel of 1000) (bez PDV-a)
€ 4.500,00
€ 4,50 Each (On a Reel of 1000) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
1000
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
120 A
Maximum Drain Source Voltage
75 V
Package Type
D2PAK (TO-263)
Series
STripFET
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
3.7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
330 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Width
10.4mm
Length
10.75mm
Typical Gate Charge @ Vgs
85 nC @ 10 V
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
4.6mm
Detalji o proizvodu
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda