STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET, 80 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB80NF55L-06T4

RS kataloški broj:: 687-5083robna marka: STMicroelectronicsProizvođački broj:: STB80NF55L-06T4
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

80A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Package Type

TO-263

Series

STripFET II

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

7mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Power Dissipation Pd

300W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

100nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Width

9.35 mm

Height

4.6mm

Length

10.4mm

Automotive Standard

No

Detalji o proizvodu

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

€ 3,94

€ 1,97 komadno (u pakiranju od 2) (bez PDV-a)

€ 4,92

€ 2,462 komadno (u pakiranju od 2) (s PDV-om)

STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET, 80 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB80NF55L-06T4
Odaberite vrstu pakiranja

Standard

Odaberite vrstu pakiranja

Standard - each

Dostupno u više komada 2.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 2.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

2

Dostupno u više komada 2
2€ 3,94
4€ 7,88
6€ 11,82
8€ 15,76
10€ 19,70
12€ 23,64
14€ 27,58
16€ 31,52
18€ 35,46
20€ 39,40
22€ 43,34
24€ 47,28
26€ 51,22
28€ 55,16
30€ 59,10

€ 3,94

€ 1,97 komadno (u pakiranju od 2) (bez PDV-a)

€ 4,92

€ 2,462 komadno (u pakiranju od 2) (s PDV-om)

STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET, 80 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB80NF55L-06T4

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Odaberite vrstu pakiranja

Standard

Odaberite vrstu pakiranja

Standard - each

Dostupno u više komada 2.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 2.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

2

Dostupno u više komada 2
2€ 3,94
4€ 7,88
6€ 11,82
8€ 15,76
10€ 19,70
12€ 23,64
14€ 27,58
16€ 31,52
18€ 35,46
20€ 39,40
22€ 43,34
24€ 47,28
26€ 51,22
28€ 55,16
30€ 59,10

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

80A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Package Type

TO-263

Series

STripFET II

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

7mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Power Dissipation Pd

300W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

100nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Width

9.35 mm

Height

4.6mm

Length

10.4mm

Automotive Standard

No

Detalji o proizvodu

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više