STMicroelectronics STripFET Type P-Channel MOSFET, 12 A, 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type P
Maximum Continuous Drain Current Id
12A
Maximum Drain Source Voltage Vds
30V
Package Type
TO-252
Series
STripFET
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
45mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
40W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20 V
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
12nC
Forward Voltage Vf
1.1V
Maximum Operating Temperature
175°C
Width
6.2 mm
Height
2.4mm
Length
6.6mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
€ 2.000,00
€ 0,80 Each (On a Reel of 2500) (bez PDV-a)
€ 2.500,00
€ 1,00 Each (On a Reel of 2500) (s PDV-om)
2500
€ 2.000,00
€ 0,80 Each (On a Reel of 2500) (bez PDV-a)
€ 2.500,00
€ 1,00 Each (On a Reel of 2500) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
2500
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type P
Maximum Continuous Drain Current Id
12A
Maximum Drain Source Voltage Vds
30V
Package Type
TO-252
Series
STripFET
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
45mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
40W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20 V
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
12nC
Forward Voltage Vf
1.1V
Maximum Operating Temperature
175°C
Width
6.2 mm
Height
2.4mm
Length
6.6mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda