STMicroelectronics STripFET N-Channel MOSFET, 35 A, 60 V, 3-Pin DPAK STD35NF06T4
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
35 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Series
STripFET
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
20 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
80 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
44.5 nC @ 10 V
Width
6.2mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.6mm
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
2.4mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
€ 10,00
€ 2,00 komadno (u pakiranju od 5) (bez PDV-a)
€ 12,50
€ 2,50 komadno (u pakiranju od 5) (s PDV-om)
Standard
5
€ 10,00
€ 2,00 komadno (u pakiranju od 5) (bez PDV-a)
€ 12,50
€ 2,50 komadno (u pakiranju od 5) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Standard
5
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
35 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Series
STripFET
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
20 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
80 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
44.5 nC @ 10 V
Width
6.2mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.6mm
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
2.4mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda