STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 53 A, 500 V Enhancement, 4-Pin ISOTOP
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
53A
Maximum Drain Source Voltage Vds
500V
Package Type
ISOTOP
Mount Type
Panel
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance Rds
80mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
460W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
30 V
Minimum Operating Temperature
-65°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
310nC
Forward Voltage Vf
1.6V
Maximum Operating Temperature
150°C
Width
25.5 mm
Height
9.1mm
Length
38.2mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250V to 650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
€ 38,35
€ 38,35 komadno (bez PDV-a)
€ 47,94
€ 47,94 komadno (s PDV-om)
1
€ 38,35
€ 38,35 komadno (bez PDV-a)
€ 47,94
€ 47,94 komadno (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
1
| količina | jedinična cijena |
|---|---|
| 1 - 9 | € 38,35 |
| 10 - 49 | € 35,89 |
| 50 - 99 | € 35,70 |
| 100 - 199 | € 32,76 |
| 200+ | € 31,77 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
53A
Maximum Drain Source Voltage Vds
500V
Package Type
ISOTOP
Mount Type
Panel
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance Rds
80mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
460W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
30 V
Minimum Operating Temperature
-65°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
310nC
Forward Voltage Vf
1.6V
Maximum Operating Temperature
150°C
Width
25.5 mm
Height
9.1mm
Length
38.2mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250V to 650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda