STMicroelectronics STGW20NC60VD IGBT, 60 A 600 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
STMicroelectronicsMaximum Continuous Collector Current
60 A
Maximum Collector Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Channel Type
N
Pin Count
3
Transistor Configuration
Single
Dimensions
15.75 x 5.15 x 20.15mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Detalji o proizvodu
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
€ 79,80
€ 2,66 komadno (u cijevi od 30) (bez PDV-a)
€ 99,75
€ 3,325 komadno (u cijevi od 30) (s PDV-om)
30
€ 79,80
€ 2,66 komadno (u cijevi od 30) (bez PDV-a)
€ 99,75
€ 3,325 komadno (u cijevi od 30) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
30
| količina | jedinična cijena | Po cijev |
|---|---|---|
| 30 - 60 | € 2,66 | € 79,80 |
| 90+ | € 2,52 | € 75,60 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
STMicroelectronicsMaximum Continuous Collector Current
60 A
Maximum Collector Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Channel Type
N
Pin Count
3
Transistor Configuration
Single
Dimensions
15.75 x 5.15 x 20.15mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Detalji o proizvodu
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda