STMicroelectronics DeepGate, STripFET N-Channel MOSFET, 110 A, 100 V, 3-Pin H2PAK-2 STH150N10F7-2
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
110 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Series
DeepGate, STripFET
Package Type
H2PAK-2
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
3.9 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
250 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Length
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
117 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Width
10.57mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
4.8mm
Detalji o proizvodu
N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 10,90
€ 5,45 komadno (u pakiranju od 2) (bez PDV-a)
€ 13,62
€ 6,812 komadno (u pakiranju od 2) (s PDV-om)
Standard
2
€ 10,90
€ 5,45 komadno (u pakiranju od 2) (bez PDV-a)
€ 13,62
€ 6,812 komadno (u pakiranju od 2) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Standard
2
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
| količina | jedinična cijena | Po pakiranje |
|---|---|---|
| 2 - 8 | € 5,45 | € 10,90 |
| 10 - 18 | € 5,24 | € 10,48 |
| 20 - 48 | € 4,92 | € 9,84 |
| 50 - 98 | € 4,61 | € 9,22 |
| 100+ | € 4,56 | € 9,12 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
110 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Series
DeepGate, STripFET
Package Type
H2PAK-2
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
3.9 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
250 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Length
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
117 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Width
10.57mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
4.8mm
Detalji o proizvodu
N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda