N-Channel MOSFET Transistor, 15 A, 600 V, 5-Pin PowerFLAT 8 x 8 HV STMicroelectronics STL26N60DM6
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
15 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Package Type
PowerFLAT 8 x 8 HV
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
5
Maximum Drain Source Resistance
215 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.75V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.25V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Width
8.1mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
8.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
24 nC @ 10 V
Height
0.9mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.6V
Zemlja podrijetla
China
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Provjerite ponovno kasnije.
€ 3,62
komadno (u pakiranju od 5) (bez PDV-a)
€ 4,525
komadno (u pakiranju od 5) (s PDV-om)
Standard
5
€ 3,62
komadno (u pakiranju od 5) (bez PDV-a)
€ 4,525
komadno (u pakiranju od 5) (s PDV-om)
Standard
5
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
15 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Package Type
PowerFLAT 8 x 8 HV
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
5
Maximum Drain Source Resistance
215 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.75V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.25V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Width
8.1mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
8.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
24 nC @ 10 V
Height
0.9mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.6V
Zemlja podrijetla
China
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda