STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 5.8 A, 900 V Enhancement, 3-Pin TO-220
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
5.8A
Maximum Drain Source Voltage Vds
900V
Package Type
TO-220
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
2Ω
Channel Mode
Enhancement
Forward Voltage Vf
1.2V
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
46.5nC
Maximum Power Dissipation Pd
30W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
30 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Operating Temperature
150°C
Width
4.6 mm
Length
10.4mm
Height
9.3mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
€ 135,50
€ 2,71 komadno (u cijevi od 50) (bez PDV-a)
€ 169,38
€ 3,388 komadno (u cijevi od 50) (s PDV-om)
50
€ 135,50
€ 2,71 komadno (u cijevi od 50) (bez PDV-a)
€ 169,38
€ 3,388 komadno (u cijevi od 50) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
50
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
5.8A
Maximum Drain Source Voltage Vds
900V
Package Type
TO-220
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
2Ω
Channel Mode
Enhancement
Forward Voltage Vf
1.2V
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
46.5nC
Maximum Power Dissipation Pd
30W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
30 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Operating Temperature
150°C
Width
4.6 mm
Length
10.4mm
Height
9.3mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda