STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 9 A, 800 V, 3-Pin TO-247 STW10NK80Z

RS kataloški broj:: 485-8572brend: STMicroelectronicsProizvođački broj:: STW10NK80Z
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

9 A

Maximum Drain Source Voltage

800 V

Package Type

TO-247

Series

MDmesh, SuperMESH

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

900 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

160 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

15.75mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Width

5.15mm

Typical Gate Charge @ Vgs

72 nC @ 10 V

Height

20.15mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Detalji o proizvodu

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Možda će vas interesovati
N-channel MOSFET,2SK2607 9A 800V
N-channel MOSFET,2SK2607 9A 800Vbrend: Toshiba
Cena na upitEach (bez PDV-a)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

RSD 972

RSD 972 Each (bez PDV-a)

RSD 1.166

RSD 1.166 Each (s PDV-om)

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 9 A, 800 V, 3-Pin TO-247 STW10NK80Z
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 1.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 1.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

1

Dostupno u više komada 1
1RSD 972
2RSD 1.944
3RSD 2.916
4RSD 3.888
5RSD 4.860
6RSD 5.832
7RSD 6.803
8RSD 7.775
9RSD 8.747
10RSD 8.922
11RSD 9.815
12RSD 10.707
13RSD 11.599
14RSD 12.491
15RSD 13.384

RSD 972

RSD 972 Each (bez PDV-a)

RSD 1.166

RSD 1.166 Each (s PDV-om)

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 9 A, 800 V, 3-Pin TO-247 STW10NK80Z
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 1.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 1.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

1

Dostupno u više komada 1
1RSD 972
2RSD 1.944
3RSD 2.916
4RSD 3.888
5RSD 4.860
6RSD 5.832
7RSD 6.803
8RSD 7.775
9RSD 8.747
10RSD 8.922
11RSD 9.815
12RSD 10.707
13RSD 11.599
14RSD 12.491
15RSD 13.384

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Proverite ponovno kasnije.

količinaJedinična cena
1 - 9RSD 972
10 - 24RSD 892
25 - 99RSD 877
100 - 499RSD 728
500+RSD 673

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Možda će vas interesovati
N-channel MOSFET,2SK2607 9A 800V
N-channel MOSFET,2SK2607 9A 800Vbrend: Toshiba
Cena na upitEach (bez PDV-a)

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

9 A

Maximum Drain Source Voltage

800 V

Package Type

TO-247

Series

MDmesh, SuperMESH

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

900 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

160 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

15.75mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Width

5.15mm

Typical Gate Charge @ Vgs

72 nC @ 10 V

Height

20.15mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Detalji o proizvodu

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Možda će vas interesovati
N-channel MOSFET,2SK2607 9A 800V
N-channel MOSFET,2SK2607 9A 800Vbrend: Toshiba
Cena na upitEach (bez PDV-a)