STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 39 A, 600 V, 3-Pin TO-247 STW48NM60N
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
39 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Series
MDmesh
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
70 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
255 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Width
5.15mm
Typical Gate Charge @ Vgs
124 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
15.75mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
20.15mm
Detalji o proizvodu
N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
€ 8,07
€ 8,07 komadno (bez PDV-a)
€ 10,09
€ 10,09 komadno (s PDV-om)
Standard
1
€ 8,07
€ 8,07 komadno (bez PDV-a)
€ 10,09
€ 10,09 komadno (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Standard
1
| količina | jedinična cijena |
|---|---|
| 1 - 9 | € 8,07 |
| 10 - 24 | € 7,52 |
| 25 - 99 | € 7,51 |
| 100+ | € 6,78 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
39 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Series
MDmesh
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
70 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
255 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Width
5.15mm
Typical Gate Charge @ Vgs
124 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
15.75mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
20.15mm
Detalji o proizvodu
N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda