STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 138 A, 650 V, 3-Pin Max247 STY145N65M5
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
138 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Series
MDmesh
Package Type
Max247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
15 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
625 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Number of Elements per Chip
1
Width
5.3mm
Length
15.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
414 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
20.3mm
Forward Diode Voltage
1.5V
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
€ 1.978,50
€ 65,95 komadno (u cijevi od 30) (bez PDV-a)
€ 2.473,12
€ 82,438 komadno (u cijevi od 30) (s PDV-om)
30
€ 1.978,50
€ 65,95 komadno (u cijevi od 30) (bez PDV-a)
€ 2.473,12
€ 82,438 komadno (u cijevi od 30) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
30
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
138 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Series
MDmesh
Package Type
Max247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
15 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
625 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Number of Elements per Chip
1
Width
5.3mm
Length
15.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
414 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
20.3mm
Forward Diode Voltage
1.5V
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda