N-Channel MOSFET, 3 A, 800 V, 3-Pin IPAK Taiwan Semi TSM3N80CH C5G

RS kataloški broj:: 171-3620robna marka: Taiwan SemiconductorProizvođački broj:: TSM3N80CH C5G
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

Taiwan Semiconductor

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

3 A

Maximum Drain Source Voltage

800 V

Package Type

TO-251

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

4.2 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

94 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±30 V

Width

2.3mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

19 nC @ 10 V

Height

7mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.5V

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 3 A, 800 V, 3-Pin IPAK Taiwan Semi TSM3N80CH C5G

1875

Dostupno u više komada 1875
1875P.O.A.
3750P.O.A.
5625P.O.A.
7500P.O.A.
9375P.O.A.
11250P.O.A.
13125P.O.A.
15000P.O.A.
16875P.O.A.
18750P.O.A.
20625P.O.A.
22500P.O.A.
24375P.O.A.
26250P.O.A.
28125P.O.A.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 3 A, 800 V, 3-Pin IPAK Taiwan Semi TSM3N80CH C5G
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

1875

Dostupno u više komada 1875
1875P.O.A.
3750P.O.A.
5625P.O.A.
7500P.O.A.
9375P.O.A.
11250P.O.A.
13125P.O.A.
15000P.O.A.
16875P.O.A.
18750P.O.A.
20625P.O.A.
22500P.O.A.
24375P.O.A.
26250P.O.A.
28125P.O.A.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

Taiwan Semiconductor

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

3 A

Maximum Drain Source Voltage

800 V

Package Type

TO-251

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

4.2 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

94 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±30 V

Width

2.3mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

19 nC @ 10 V

Height

7mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.5V

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više