Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 134 A, 60 V, 8-Pin VSONP CSD18531Q5A
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
134 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Series
NexFET
Package Type
VSONP
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
5.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
3.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Length
5.8mm
Number of Elements per Chip
1
Width
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
18 nC @ 4.5 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.1mm
Zemlja podrijetla
Malaysia
Detalji o proizvodu
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 3.825,00
€ 1,53 Each (On a Reel of 2500) (bez PDV-a)
€ 4.781,25
€ 1,912 Each (On a Reel of 2500) (s PDV-om)
2500
€ 3.825,00
€ 1,53 Each (On a Reel of 2500) (bez PDV-a)
€ 4.781,25
€ 1,912 Each (On a Reel of 2500) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
2500
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
134 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Series
NexFET
Package Type
VSONP
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
5.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
3.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Length
5.8mm
Number of Elements per Chip
1
Width
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
18 nC @ 4.5 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.1mm
Zemlja podrijetla
Malaysia
Detalji o proizvodu
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda