N-Channel MOSFET, 273 A, 80 V, 3-Pin TO-220 Texas Instruments CSD19506KCS

RS kataloški broj:: 827-4903robna marka: Texas InstrumentsProizvođački broj:: CSD19506KCS
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

Texas Instruments

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

273 A

Maximum Drain Source Voltage

80 V

Series

NexFET

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

2.8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.2V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.1V

Maximum Power Dissipation

375 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

10.67mm

Typical Gate Charge @ Vgs

120 nC @ 10 V

Width

4.7mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Height

16.51mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Detalji o proizvodu

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

€ 7,50

komadno (bez PDV-a)

€ 9,38

komadno (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 273 A, 80 V, 3-Pin TO-220 Texas Instruments CSD19506KCS
Odaberite vrstu pakiranja

€ 7,50

komadno (bez PDV-a)

€ 9,38

komadno (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 273 A, 80 V, 3-Pin TO-220 Texas Instruments CSD19506KCS
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakiranja

Kupujte na veliko

količinajedinična cijena
1 - 4€ 7,50
5 - 9€ 7,20
10 - 24€ 6,75
25 - 49€ 6,35
50+€ 6,25

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

Texas Instruments

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

273 A

Maximum Drain Source Voltage

80 V

Series

NexFET

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

2.8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.2V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.1V

Maximum Power Dissipation

375 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

10.67mm

Typical Gate Charge @ Vgs

120 nC @ 10 V

Width

4.7mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Height

16.51mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Detalji o proizvodu

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više