Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 100 A, 100 V, 3-Pin TO-220 CSD19534KCS

RS kataloški broj:: 145-1334robna marka: Texas InstrumentsProizvođački broj:: CSD19534KCS
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Texas Instruments

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Series

NexFET

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

20 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

118 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

4.7mm

Length

10.67mm

Typical Gate Charge @ Vgs

17.1 nC @ 0 V

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Number of Elements per Chip

1

Height

16.51mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.1V

Zemlja podrijetla

Philippines

Detalji o proizvodu

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

KM 111,48

KM 2,23 Each (In a Tube of 50) (bez PDV-a)

KM 130,43

KM 2,609 Each (In a Tube of 50) (s PDV-om)

Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 100 A, 100 V, 3-Pin TO-220 CSD19534KCS

50

Dostupno u više komada 50
50KM 111,48
100KM 205,36
150KM 308,04
200KM 410,72
250KM 503,62
300KM 604,34
350KM 705,07
400KM 805,79
450KM 906,51
500KM 997,46
550KM 1.097,20
600KM 1.196,95
650KM 1.296,70
700KM 1.396,44
750KM 1.496,19

KM 111,48

KM 2,23 Each (In a Tube of 50) (bez PDV-a)

KM 130,43

KM 2,609 Each (In a Tube of 50) (s PDV-om)

Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 100 A, 100 V, 3-Pin TO-220 CSD19534KCS
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

50

Dostupno u više komada 50
50KM 111,48
100KM 205,36
150KM 308,04
200KM 410,72
250KM 503,62
300KM 604,34
350KM 705,07
400KM 805,79
450KM 906,51
500KM 997,46
550KM 1.097,20
600KM 1.196,95
650KM 1.296,70
700KM 1.396,44
750KM 1.496,19

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

količinaJedinična cijenaPo cijev
50 - 50KM 2,23KM 111,48
100 - 200KM 2,054KM 102,68
250 - 450KM 2,014KM 100,72
500+KM 1,995KM 99,75

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Texas Instruments

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Series

NexFET

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

20 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

118 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

4.7mm

Length

10.67mm

Typical Gate Charge @ Vgs

17.1 nC @ 0 V

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Number of Elements per Chip

1

Height

16.51mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.1V

Zemlja podrijetla

Philippines

Detalji o proizvodu

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više