P-Channel MOSFET, 104 A, 20 V, 8-Pin VSON-CLIP Texas Instruments CSD25404Q3T

RS kataloški broj:: 133-0156robna marka: Texas InstrumentsProizvođački broj:: CSD25404Q3T
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

Texas Instruments

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

104 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

VSON-CLIP

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

150 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.15V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.65V

Maximum Power Dissipation

96 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3.4mm

Number of Elements per Chip

1

Width

3.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

10.8 nC @ 4.5 V

Height

1.1mm

Series

NexFET

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1V

Detalji o proizvodu

P-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

€ 1,65

komadno (u pakiranju od 5) (bez PDV-a)

€ 2,062

komadno (u pakiranju od 5) (s PDV-om)

P-Channel MOSFET, 104 A, 20 V, 8-Pin VSON-CLIP Texas Instruments CSD25404Q3T
Odaberite vrstu pakiranja

Odaberite vrstu pakiranja

Standard - each

Dostupno u više komada 5.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 5.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

5

Dostupno u više komada 5
5€ 8,25
10€ 16,50
15€ 19,95
20€ 26,60
25€ 33,25
30€ 39,90
35€ 46,55
40€ 53,20
45€ 59,85
50€ 61,00
55€ 67,10
60€ 73,20
65€ 79,30
70€ 85,40
75€ 91,50

€ 1,65

komadno (u pakiranju od 5) (bez PDV-a)

€ 2,062

komadno (u pakiranju od 5) (s PDV-om)

P-Channel MOSFET, 104 A, 20 V, 8-Pin VSON-CLIP Texas Instruments CSD25404Q3T
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakiranja

Odaberite vrstu pakiranja

Standard - each

Dostupno u više komada 5.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 5.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

5

Dostupno u više komada 5
5€ 8,25
10€ 16,50
15€ 19,95
20€ 26,60
25€ 33,25
30€ 39,90
35€ 46,55
40€ 53,20
45€ 59,85
50€ 61,00
55€ 67,10
60€ 73,20
65€ 79,30
70€ 85,40
75€ 91,50

Kupujte na veliko

količinajedinična cijenaPo pakiranje
5 - 10€ 1,65€ 8,25
15 - 45€ 1,33€ 6,65
50 - 245€ 1,22€ 6,10
250 - 495€ 1,11€ 5,55
500+€ 1,02€ 5,10

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

Texas Instruments

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

104 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

VSON-CLIP

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

150 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.15V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.65V

Maximum Power Dissipation

96 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3.4mm

Number of Elements per Chip

1

Width

3.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

10.8 nC @ 4.5 V

Height

1.1mm

Series

NexFET

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1V

Detalji o proizvodu

P-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više