Texas Instruments NexFET P-Channel MOSFET, 104 A, 20 V, 8-Pin VSON-CLIP CSD25404Q3T
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
Texas InstrumentsChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
104 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Series
NexFET
Package Type
VSON-CLIP
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
150 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.15V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.65V
Maximum Power Dissipation
96 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Number of Elements per Chip
1
Width
3.4mm
Length
3.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10.8 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1V
Height
1.1mm
Zemlja podrijetla
Philippines
Detalji o proizvodu
P-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 302,50
€ 1,21 Each (On a Reel of 250) (bez PDV-a)
€ 378,12
€ 1,512 Each (On a Reel of 250) (s PDV-om)
250
€ 302,50
€ 1,21 Each (On a Reel of 250) (bez PDV-a)
€ 378,12
€ 1,512 Each (On a Reel of 250) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
250
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
Texas InstrumentsChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
104 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Series
NexFET
Package Type
VSON-CLIP
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
150 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.15V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.65V
Maximum Power Dissipation
96 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Number of Elements per Chip
1
Width
3.4mm
Length
3.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10.8 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1V
Height
1.1mm
Zemlja podrijetla
Philippines
Detalji o proizvodu
P-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda