N-Channel MOSFET Transistor, 20 A, 600 V, 3-Pin TO-3PN Toshiba 2SK3906(Q)

RS kataloški broj:: 415-421Probna marka: ToshibaProizvođački broj:: 2SK3906(Q)
brand-logo

Tehnička dokumentacija

Detalji o proizvodu

MOSFETs - N-Channel

The Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor or MOSFET is a transistor used for amplifying or switching electronic signals.
A voltage on the oxide-insulated Gate electrode can induce a conducting channel between the two other contacts called Source and Drain. The channel can be of N-type or P-type.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Možda će vas zanimati
Silfox Thermal Interface Pad, 2mm Thick, 20W/m·K, Ceramic Aluminium Oxide, 23 x 20mm
€ 2,612komadno (u pakiranju od 10) (bez PDV-a)

Cijena na upit

N-Channel MOSFET Transistor, 20 A, 600 V, 3-Pin TO-3PN Toshiba 2SK3906(Q)

Cijena na upit

N-Channel MOSFET Transistor, 20 A, 600 V, 3-Pin TO-3PN Toshiba 2SK3906(Q)

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Možda će vas zanimati
Silfox Thermal Interface Pad, 2mm Thick, 20W/m·K, Ceramic Aluminium Oxide, 23 x 20mm
€ 2,612komadno (u pakiranju od 10) (bez PDV-a)

Tehnička dokumentacija

Detalji o proizvodu

MOSFETs - N-Channel

The Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor or MOSFET is a transistor used for amplifying or switching electronic signals.
A voltage on the oxide-insulated Gate electrode can induce a conducting channel between the two other contacts called Source and Drain. The channel can be of N-type or P-type.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Možda će vas zanimati
Silfox Thermal Interface Pad, 2mm Thick, 20W/m·K, Ceramic Aluminium Oxide, 23 x 20mm
€ 2,612komadno (u pakiranju od 10) (bez PDV-a)