Toshiba GT50J325(Q) IGBT, 50 A 600 V, 3-Pin TO-3PLH, Through Hole

RS kataloški broj:: 601-2879robna marka: ToshibaProizvođački broj:: GT50J325(Q)
brand-logo
Prikaži sve u IGBTs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

Toshiba

Maximum Continuous Collector Current

50 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Package Type

TO-3PLH

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Dimensions

20.5 x 5.2 x 26mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Zemlja podrijetla

Japan

Detalji o proizvodu

IGBT Discretes, Toshiba

IGBT Discretes & Modules, Toshiba

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Možda će vas zanimati

Cijena na upit

Toshiba GT50J325(Q) IGBT, 50 A 600 V, 3-Pin TO-3PLH, Through Hole

Cijena na upit

Toshiba GT50J325(Q) IGBT, 50 A 600 V, 3-Pin TO-3PLH, Through Hole

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Možda će vas zanimati

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

Toshiba

Maximum Continuous Collector Current

50 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Package Type

TO-3PLH

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Dimensions

20.5 x 5.2 x 26mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Zemlja podrijetla

Japan

Detalji o proizvodu

IGBT Discretes, Toshiba

IGBT Discretes & Modules, Toshiba

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Možda će vas zanimati