Toshiba N-Channel MOSFET, 100 mA, 30 V, 3-Pin SC-75 SSM3K15AFS,LF(T
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SC-75
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
6 Ω
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.8V
Maximum Power Dissipation
100 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
+20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
0.8mm
Length
1.6mm
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
0.7mm
Zemlja podrijetla
Japan
Detalji o proizvodu
MOSFET N-Channel, SSM3K Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 12,00
€ 0,12 komadno (u pakiranju od 100) (bez PDV-a)
€ 15,00
€ 0,15 komadno (u pakiranju od 100) (s PDV-om)
100
€ 12,00
€ 0,12 komadno (u pakiranju od 100) (bez PDV-a)
€ 15,00
€ 0,15 komadno (u pakiranju od 100) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
100
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
| količina | jedinična cijena | Po pakiranje |
|---|---|---|
| 100 - 200 | € 0,12 | € 12,00 |
| 300+ | € 0,10 | € 10,00 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SC-75
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
6 Ω
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.8V
Maximum Power Dissipation
100 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
+20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
0.8mm
Length
1.6mm
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
0.7mm
Zemlja podrijetla
Japan
Detalji o proizvodu
MOSFET N-Channel, SSM3K Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda