Toshiba N-Channel MOSFET, 3.5 A, 100 V, 3-Pin SOT-23 SSM3K361R,LF(B
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3.5 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
92 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
2.4 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
1.8mm
Length
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
3.2 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Forward Diode Voltage
1.5V
Height
0.7mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Zemlja podrijetla
Thailand
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 1.020,00
€ 0,34 Each (On a Reel of 3000) (bez PDV-a)
€ 1.275,00
€ 0,425 Each (On a Reel of 3000) (s PDV-om)
3000
€ 1.020,00
€ 0,34 Each (On a Reel of 3000) (bez PDV-a)
€ 1.275,00
€ 0,425 Each (On a Reel of 3000) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
3000
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
| količina | jedinična cijena | Po kolut |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | € 0,34 | € 1.020,00 |
| 6000+ | € 0,33 | € 990,00 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3.5 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
92 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
2.4 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
1.8mm
Length
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
3.2 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Forward Diode Voltage
1.5V
Height
0.7mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Zemlja podrijetla
Thailand
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda