Toshiba DTMOSIV N-Channel MOSFET, 20 A, 600 V, 3-Pin TO-247 TK20N60W5,S1VF(S
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Package Type
TO-247
Series
DTMOSIV
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
175 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
165 W
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
55 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Width
5.02mm
Length
15.94mm
Forward Diode Voltage
1.7V
Height
20.95mm
Zemlja podrijetla
Japan
Detalji o proizvodu
MOSFET N-Channel, TK2x Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 20,75
€ 4,15 komadno (u pakiranju od 5) (bez PDV-a)
€ 25,94
€ 5,188 komadno (u pakiranju od 5) (s PDV-om)
5
€ 20,75
€ 4,15 komadno (u pakiranju od 5) (bez PDV-a)
€ 25,94
€ 5,188 komadno (u pakiranju od 5) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
5
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
| količina | jedinična cijena | Po pakiranje |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 4,15 | € 20,75 |
| 25 - 45 | € 3,80 | € 19,00 |
| 50+ | € 3,61 | € 18,05 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Package Type
TO-247
Series
DTMOSIV
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
175 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
165 W
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
55 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Width
5.02mm
Length
15.94mm
Forward Diode Voltage
1.7V
Height
20.95mm
Zemlja podrijetla
Japan
Detalji o proizvodu
MOSFET N-Channel, TK2x Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda