Toshiba TK N-Channel MOSFET, 60 A, 120 V, 3-Pin TO-220 TK32E12N1,S1X(S
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
60 A
Maximum Drain Source Voltage
120 V
Series
TK
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
13.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
98 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.45mm
Length
10.16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
34 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
15.1mm
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 58,50
€ 1,17 komadno (u cijevi od 50) (bez PDV-a)
€ 73,12
€ 1,462 komadno (u cijevi od 50) (s PDV-om)
50
€ 58,50
€ 1,17 komadno (u cijevi od 50) (bez PDV-a)
€ 73,12
€ 1,462 komadno (u cijevi od 50) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
50
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
| količina | jedinična cijena | Po cijev |
|---|---|---|
| 50 - 200 | € 1,17 | € 58,50 |
| 250+ | € 1,02 | € 51,00 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
60 A
Maximum Drain Source Voltage
120 V
Series
TK
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
13.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
98 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.45mm
Length
10.16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
34 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
15.1mm
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda